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硅中掺氮直拉硅单晶技术又创辉煌电子设备行业资讯资讯-(XINWEN)

发布时间:2021-10-04 20:59:00 阅读: 来源:泡沫玻璃板厂家

浙江大学硅材料国家重点实验室已成功"拉"出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。

硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材料,随着信息微电子产业的飞速发展,日益要求硅单晶"大直径,无缺陷"。从最初的3英寸到现在的12英寸,硅单晶直径越来越大,"微缺陷"问题也更加突现,已对硅单晶和超大规模集成电路形成致命影响。

硅中掺氮,已经被证明可以控制硅单晶上的一些"微缺陷"。据硅材料国家重点实验室杨德仁教授介绍,西方发达国家在这方面具有自己独特的技术,并一度形成了技术垄断。这些技术主要是用在6-8英寸硅单晶上,但12英寸硅单晶的掺氮技术,世界上还没有相关专利。

据了解,浙大利用具有我国自主知识产权的"减压充氮生长微氮直拉硅单晶技术",研制成功的12英寸掺氮硅单晶,目前已申请了3项国家发明专利。

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